آندیزاسیون سخت آرایه ای نانوحفره ای آلومینای منظم در ولتاژ آندیزاسیون 35 تا 60 ولت

thesis
abstract

در این کار یک روش موثر در ساخت نانو ساختار آلومینای آندایز شده حفره دار منظم با الکترولیت ترکیبی اسید اکسالیک و اسید سولفوریک در بازه ولتاژی 35 الی 60 ولت (که بزرگتر از ولتاژ متداول مورد استفاده در روش آندایز نرم با اسید سولفوریک،اسید اکسالیک و یا ترکیب این دو اسید است), معرفی شده, و تاثیر متغیر های مختلف در فرایند آندایز سخت بررسی گردیده است. هدف ما در این کار پوشش فواصل بین حفره ای از 70 الی 130 نانومتر در روش آندایز سخت و رسیدن به نظم بیشتر نمونه ها بوسیله تغییر الکترولیت و ولتاژ آندایز می باشد.در اینجا ما نمونه هایی با الکترولیت ترکیبی اسید اکسالیک 0/4 مولار و اسید سولفوریک با غلظت های 0/07و 0/08و 0/09و 0/10و 0/11و 0/15 و 0/20 مولار آندایز کرده ایم. در آندایز نمونه ها, چگالی جریان نسبت به ولتاژ نهایی آندایزاسیون سه رفتار متفاوت نشان می دهد.چگالی جریان تا یک ولتاژ آندیزاسیون معین نمودار نمایی نشان می دهد و پس از آن نمودار چگالی جریان در یک بازه مشخص آندیزاسیون به صورت نوسانی ظاهر می شود و در نهایت با افزایش ولتاژ نمودار جریان با نشان دادن یک بیشینه مضاعف به صورت نمایی کاهش می یابد. در بررسی دیگر به مطالعه اثرتغییر آهنگ ولتاژ بر میزان آرایه شدن و جلوگیری از سوختگی موضعی نمونه ها پرداخته شد ,که با کم کردن آهنگ افزایش ولتاژ در هنگام آندایز اثر سوختگی در نمونه ها به طور کامل مرتفع گردید. همچنین در این کار اثر جریان بر فاصله بین حفره ای مطالعه شد که در این بررسی با استفاده از ترکیب, اسید اکسالیک 4/0مولار و اسید سولفوریک 0/11 مولار در ولتاژ آندایز 40 ولت نمونه های متفاوت ساخته شده در زمان های آندایز 15 , 30 , 45 , 60 و 90 دقیقه مورد مطالعه قرار گرفت.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

نانوحسگرهای گازی بر اساس نانوحفره های آلومینای ساخته شده به روش آندیزاسیون سخت برای حسگری رطوبت در دمای اتاق

نانوحسگرهای رطوبت بر اساس نانو حفره های آلومینا به روش جدید آندیزاسیون سخت مطالعه شد. برای بررسی اثر میزان آنیون های اسیدی موجود در قسمت های مختلف آلومینا بر حساسیت نانوحسگر، دو نوع حسگر دیواره و لایه سدی در دو چگالی جریان متفاوت با ولتاژهای آندیزاسیون 38 و 44 ولت ساخته شد. اثر فرکانس در بازه 3 تا 40 کیلوهرتز در ولتاژهای مختلف و در دامنه های رطوبت نسبی 40 تا 90 درصد بر حساسیت و زمان های پاسخ و ...

full text

بهینه کردن نظم آرایه ای نانوحفره های آلومینا در فاصله بین حفره ای 250 تا 450 نانومتر با استفاده از آندیزاسیون سخت و ترکیب آندیزاسیون سخت و نرم شتابدار

آندایز نرم بر اساس فرایند آندایز دو مرحله ای است که زمان این فرایند 10 ساعت طول می کشد و نانوحفره های خود آرایه فقط در رنج محدودی از ولتاژ به دست می آیند. در این روش نانوحفره های خود آرایه در 25 ولت، 40 ولت و 195 ولت به ترتیب در اسید سولفوریک، اسید اکسالیک و اسید فسفریک به دست می آید. آندایز سخت که به عنوان روش ساخت سریع به کار می رود در رنج وسیعی از اندازه حفره ها و فاصله بین حفره ای کاربرد دا...

15 صفحه اول

نانوحسگرهای گازی بر اساس نانوحفره‌های آلومینای ساخته شده به روش آندیزاسیون سخت برای حسگری رطوبت در دمای اتاق

Humidity sensors are fabricated based on nanoporous alumina, using hard anodization technique. In order to investigate the effect of the anion incorporated in the alumina template during anodization, two different kinds of sensors, wall and barrier layer sensor, with various current densities at 38 V and 44 V anodization voltages are fabricated. The effect of frequency measurement, ranging from...

full text

بررسی اثر غلظت اسید فسفریک و دمای آندیزاسیون بر نظم بهینه نانوحفره های آلومینا به روش آندیزاسیون نرم شتابدار

با توجه به این نکته که آلومینای نانوحفره دار ساخته شده به روش آندیزاسیون دارای کاربردهای فراوانی در زمینه بلورهای نوری ، نیمه هادی های زیستی، نانو فیلترها، نانو سنسورهای گازی، رطوبتی و شیمیایی و حافظه های مغناطیسی است، ساخت این نانو حفره ها بانظم بالا و فاصله های بین حفره ای مختلف و کاهش زمان ساخت از اهمیت فوق العاده ای برخوردار است. در این کار از یک روش جدید آندایز به نام آندایز نرم شتابدار ...

15 صفحه اول

ساخت و بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم ‍ های نیکل-مس در قالب های آلومینای ساخته شده به روش آندیزاسیون سخت

نانوسیم های آلیاژی nicu به روش الکترونهشت پالسی نامتقارن بر روی زیرلایه ی zn در قالب آلومینای آندی تهیه شده به روش آندیزاسیون سخت ساخته شد. با استفاده از الکترولیت های با غلظت مختلف cu2+و همچنین تغییر ولتاژ کاهش الکتروشیمیایی نانوسیم های x-1 nixcu با 5/0 -25/0 x = و قطر حدود 50 نانومتر به دست آمد. نتایج اندازه گیری اشعه ی x نشان داد که در نمونه های مورد بررسی دو فاز بلوری مرکز وجهی نیکل و فاز ب...

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023